FMS 2026（全球最大独立存储产业峰会）于8月4日至6日在美国圣克拉拉举行。会上，SK海力士、三星、铠侠三大存储巨头针对“AI内存墙”给出了三种不同解法，标志着存储在AI系统中的角色发生根本性转变。
HBF标准首发：HBM之下的新层级
SK海力士与闪迪联合通过OCP发布了高带宽闪存（HBF）的首个标准规格。HBF支持8层与16层堆叠，单颗容量最高512GB，读带宽区间为0.4–3.0 TB/s，上限已触及HBM4的带宽区间。官方明确HBF定位为HBM之下新增的一级，并非替代HBM。
三星：400层以上BV-NAND与概念产品
三星发布了V10 BV-NAND，堆叠超过400层，首次采用晶圆键合工艺。同时预览了zHBM与zNAND-O，两者仍处于概念阶段，尚未量产。
SK海力士与铠侠：能效提升与液冷SSD
SK海力士发布第10代375层4D NAND，能效较上一代提升2.5倍。铠侠CM10成为首款将PCIe 6.0、332层BiCS10与直接冷板液冷结合的企业级SSD。
产能押注与周期风险
据报道，三星HBM月产能将从约17万片晶圆提升至约25万片，增幅约47%，目标2026年底达成。三大巨头在标准未收敛的情况下同步扩产，既是AI需求共同确认的信号，也埋下了供给节奏错配的周期隐患。
MSX View指出，本届峰会最值得留意的不是单一产品，而是存储已从配角变为决定算力能否跑满的约束条件。HBF虽带宽亮眼，但底层介质仍是闪存，延迟与寿命与DRAM差距显著，增量层而非替代品的定位在传播中需警惕误读。
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